Цитологія і генетика 2009, том 43, № 4, 39-44
Cytology and Genetics , том , № , , doi: https://www.doi.org/

RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия

Тищенко Е.Н., Михальская С.И., Сергеева Л.Е.

Институт физиологии растений и генетики НАН Украины, 0302, Киев, ул. Васильковская 31/1

Исследовали влияние оксианионов ванадия на геном сои (Glycine max L., Merr.) в устойчивой к вольфраму (WR) клеточной линии. WR-линия показывает перекрест- ную устойчивость к оксианионам V5+. Установлено наличие одинаковых по размеру RAPD-ампликонов, дифференциально синтезируемых с ДНК исходного каллуса и WR-линии, которая последовательно культивируется в присутствии летальных доз оксианионов W6+ и V5+. Предположено, что в геноме сои имеются локусы, повышенная нестабильность которых обусловлена действием разных стрессоров.

Ключові слова: soybean (Glycine max L., Merr.), RAPD-PCR, tungsten/ vanadium-resistant, cell selection

Цитологія і генетика
2009, том 43, № 4, 39-44

Current Issue
Cytology and Genetics
, том , № , ,
doi:

Повний текст та додаткові матеріали

У вільному доступі: PDF  

Цитована література