ISSN 0564-3783  



Головна
Контакти
Архів  
Тематика журналу
Підписка
До уваги авторів
Редколегія
Мобільна версія


In English

Export citations
UNIMARC
BibTeX
RIS





RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия

Тищенко Е.Н., Михальская С.И., Сергеева Л.Е.

Оригінальна работа 


[Free Full Text (pdf)]Article Free Full Text (pdf)  

Исследовали влияние оксианионов ванадия на геном сои (Glycine max L., Merr.) в устойчивой к вольфраму (WR) клеточной линии. WR-линия показывает перекрест- ную устойчивость к оксианионам V5+. Установлено наличие одинаковых по размеру RAPD-ампликонов, дифференциально синтезируемых с ДНК исходного каллуса и WR-линии, которая последовательно культивируется в присутствии летальных доз оксианионов W6+ и V5+. Предположено, что в геноме сои имеются локусы, повышенная нестабильность которых обусловлена действием разных стрессоров.

Ключові слова: soybean (Glycine max L., Merr.), RAPD-PCR, tungsten/ vanadium-resistant, cell selection

Цитологія і генетика 2009, том 43, № 4, C. 39-44

Институт физиологии растений и генетики НАН Украины, 0302, Киев, ул. Васильковская 31/1

E-mail: plant ifrg.kiev.ua

Тищенко Е.Н., Михальская С.И., Сергеева Л.Е. RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия, Цитологія і генетика., 2009, том 43, № 4, C. 39-44.




Copyright© ICBGE 2002-2021 Coded & Designed by Volodymyr Duplij Modified 24.09.21