Cytology and Genetics ,
том ,
№ , ,
doi: https://www.doi.org/
Исследовали влияние оксианионов ванадия на геном сои (Glycine max L., Merr.) в устойчивой к вольфраму (WR) клеточной линии. WR-линия показывает перекрест- ную устойчивость к оксианионам V5+. Установлено наличие одинаковых по размеру RAPD-ампликонов, дифференциально синтезируемых с ДНК исходного каллуса и WR-линии, которая последовательно культивируется в присутствии летальных доз оксианионов W6+ и V5+. Предположено, что в геноме сои имеются локусы, повышенная нестабильность которых обусловлена действием разных стрессоров.
Ключові слова: soybean (Glycine max L., Merr.), RAPD-PCR, tungsten/ vanadium-resistant, cell selection