|
|||
|
![]()
In English Export citations UNIMARC BibTeX RIS RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадияОригінальна работа [Free Full Text (pdf)] ![]() Исследовали влияние оксианионов ванадия на геном сои (Glycine max L., Merr.) в устойчивой к вольфраму (WR) клеточной линии. WR-линия показывает перекрест- ную устойчивость к оксианионам V5+. Установлено наличие одинаковых по размеру RAPD-ампликонов, дифференциально синтезируемых с ДНК исходного каллуса и WR-линии, которая последовательно культивируется в присутствии летальных доз оксианионов W6+ и V5+. Предположено, что в геноме сои имеются локусы, повышенная нестабильность которых обусловлена действием разных стрессоров. Ключові слова: soybean (Glycine max L., Merr.), RAPD-PCR, tungsten/ vanadium-resistant, cell selection
Цитологія і генетика 2009, том 43, № 4, C. 39-44Институт физиологии растений и генетики НАН Украины, 0302, Киев, ул. Васильковская 31/1
E-mail: plant |
|
|||
Coded & Designed by Volodymyr Duplij | Modified 07.12.23 |