Головна Контакти Архів   Тематика журналу Підписка До уваги авторів Редколегія Дестопна версія

RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия

Тищенко Е.Н., Михальская С.И., Сергеева Л.Е.

Оригінальна работа 

[Free Full Text (pdf)]

Исследовали влияние оксианионов ванадия на геном сои (Glycine max L., Merr.) в устойчивой к вольфраму (WR) клеточной линии. WR-линия показывает перекрест- ную устойчивость к оксианионам V⁵⁺. Установлено наличие одинаковых по размеру RAPD-ампликонов, дифференциально синтезируемых с ДНК исходного каллуса и WR-линии, которая последовательно культивируется в присутствии летальных доз оксианионов W⁶⁺ и V⁵⁺. Предположено, что в геноме сои имеются локусы, повышенная нестабильность которых обусловлена действием разных стрессоров.

Ключові слова: soybean (Glycine max L., Merr.), RAPD-PCR, tungsten/ vanadium-resistant, cell selection

Цитологія і генетика 2009, том 43, № 4, C. 39-44

Институт физиологии растений и генетики НАН Украины, 0302, Киев, ул. Васильковская 31/1

E-mail: plant ifrg.kiev.ua

Тищенко Е.Н., Михальская С.И., Сергеева Л.Е. RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия, Цитологія і генетика., 2009, том 43, № 4, C. 39-44.